диодный мост GBJ3510 35 А, 1000 В
Общая цена
88 р.
Количество

В корзину
В наличии
Артикул:152529
Производство:YJ(Yangzhou Yangjie Electronic)
Страна:КИТАЙ
Технические параметры

напряжение обр.1000 В
ток прямой35 А
напряжение пр.1.1 В
ток обр.5 мкА
способ монтажаТНТ
корпусGBJ
Найти аналоги
по параметрам
Найти аналоги

Вы недавно смотрели
диодный мост GBJ3510 35 А, 1000 В
88 р.
Датчик цвета на основе TCS3472
442 р.
Конденсатор NPO 8.2 пФ, 50 В
7 р.
датчика тока ACS712 30А (Uпит 5В)
318 р.
Предохранитель 0.25А, 250В, 5*20, F, стекло
15 р.
Клемма на плату под фастон DJ610-6.3
Модуль MOSFET ШИМ регулятор AOD4184 DC 5-36В 15А 400Вт
143 р.
Кабель плоский FCCG-1-16-200
30 р.
преобразователь понижающий 300Вт(200Вт) Uвх=10-40В, Uвых 2.5-35В (20A макс) 2.5–35 В, 20 А
760 р.
Кабель коммуникационный CCC-2G
98 р.
Дихлорэтан (Клей для пластмасс) 30мл
80 р.
Датчик вибрации SW-420 (Trema-модуль), Датчик вибрации для Arduino-проектов на основе SW-420
96 р.
WS2812B Матрица 8*8 (64 RGB адресных светодиодов 5050) 5В 0,3Вт/пиксель
300 р.
преобразователь повышающий Повышающий DC/DC преобразователь 200Вт, Uвх=6-35В, Uвых 6-55В, Iвых до 7А (Актив. охл. 10А) 6-55 В, 10 А
855 р.
Модуль PC817 4 канала, плата гальванической развязки сигнала
298 р.
Датчик температуры и влажности DHT-11
155 р.
Конденсатор SMD 0402 10 мкФ, 10 В, 20 %
Защёлка для корпуса "Адресная система ТМ "Рубеж"
112 р.
Контроллер системы орошения ХН-M214
544 р.
транзистор IGBT IGBT IHW30N135R5XKSA1 1350 В, 30 А, 197 Вт
424 р.
Сообщение