транзистор IGBT IGBT STGD18N40LZT4 400 В, 18 А, 75 Вт

TGD18N40LZT4 — это специализированный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании STMicroelectronics, разработанный специально для систем автомобильного зажигания

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

диодный мост GBU408 4 А, 800 В

58 р.

транзистор IGBT IGBT STGD18N40LZT4 400 В, 18 А, 75 Вт

255 р.

диодный мост GBU8K 8 А, 800 В

150 р.

диодный мост GBU8J 8 А, 600 В

77 р.

транзистор полевой N-канал Транзистор WM02N50M 500 В, 5 А

диодный мост RS406 4 А, 800 В

89 р.

сборка транзисторная N/P Транзистор IRF7105TRPBF 25 В, 3.5 А

106 р.

преобразователь RI-1207 7.2 В, 0.278 А

диодный мост KBU610 6 А, 1000 В

56 р.

диодный мост KBU1010 10 А, 1000 В

60 р.

диодный мост KBJ2G 2 А, 400 В

54 р.

диодный мост KBPC5010W 50 А, 1000 В

170 р.

преобразователь AM2DM-1215DH60-NZ +/- 15 В, 0.067 А

диодный мост GBU8M 8 А, 1000 В

120 р.

сборка транзисторная N/P Транзистор IRF7309PBF 30 В, 4 А

52 р.

диодный мост KBPC3510 35 А, 1000 В

168 р.

диодный мост RS407 4 А, 1000 В

55 р.

KBP08G сборка диодная

Вольтметр DC 20В (40*40)

140 р.

диодный мост KBPC3512 35 А, 1200 В

199 р.

Сообщение

Напряжение	400 В
Ток (25°C)	30 А
Ток (100°C)	18 А
Напряжение нас.	1.2 В
Пороговое напряжение затвора	1.5 В
Частота	10 кГц
Ёмкость затвора	1340 пФ
Мощность (25°C)	150 Вт
Мощность (100°C)	75 Вт
корпус	TO-252 (DPAK)