транзистор IGBT IGBT FGH40N60SMD 600 В, 40 А, 174 Вт

FGH40N60SMD — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) с рабочим напряжением до 600 В и током до 80 А (при 25°C). Он разработан компанией Fairchild (ныне onsemi) с использованием технологии Field Stop 2-го поколения, обеспечивающей высокую эффективность в сварочных аппаратах, инверторах и ИБП.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT FGH40N60SMD 600 В, 40 А, 174 Вт

326 р.

транзистор IGBT IGBT IGW20N60H3FKSA1 600 В, 20 А, 85 Вт

761 р.

транзистор IGBT IGBT IKW40N120T2FKSA1 1200 В, 40 А, 174 Вт

661 р.

транзистор IGBT IGBT IKW50N60TFKSA1 600 В, 50 А, 167 Вт

680 р.

транзистор IGBT IGBT FGH40N60SFDTU 600 В, 40 А, 145 Вт

650 р.

транзистор IGBT IGBT FGH60N60SMD 600 В, 60 А, 300 Вт

482 р.

транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

437 р.

TYPE-C-5pin-PH2.0 Гнездо для зарядки 5 А, на панель

120 р.

преобразователь повышающий SX1308 2-28 В, 2 А

136 р.

транзистор IGBT IGBT IHW20N135R5XKSA1 1350 В, 20 А, 130 Вт

322 р.

FBC1207D, 7-Ступенчатое автомат. зарядное устройство 12В 7А

1 960 р.

Стандартный стальной штангенциркуль 0-150мм

535 р.

Плата расширения WaveShare для Raspberry Pi (HAT) с двухканальным интерфейсом RS485

транзистор IGBT IGBT IKW50N65ES5XKSA1 650 В, 50 А, 125 Вт

790 р.

транзистор IGBT IGBT IKW50N60H3FKSA1 600 В, 50 А, 152 Вт

368 р.

транзистор IGBT IGBT IKW25N120H3FKSA1 1200 В, 25 А, 117 Вт

582 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7103TRPBF 50 В, 3 А

сборка транзисторная 2P Транзистор IRF7316PBF 30 В, 4.9 А

86 р.

транзистор полевой N-канал Транзистор BSS138P.215 60 В, 0.36 А

ионистр 0.22 Ф, 5.5 В,

89 р.

Сообщение

Напряжение	600 В
Ток (25°C)	80 А
Ток (100°C)	40 А
Напряжение нас.	1.9 В
Пороговое напряжение затвора	4.75 В
Частота	50 кГц
Ёмкость затвора	1880 пФ
Мощность (25°C)	348 Вт
Мощность (100°C)	174 Вт
корпус	TO-247