транзистор IGBT IGBT FGH40N60SMD 600 В, 40 А, 174 Вт

FGH40N60SMD — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) с рабочим напряжением до 600 В и током до 80 А (при 25°C). Он разработан компанией Fairchild (ныне onsemi) с использованием технологии Field Stop 2-го поколения, обеспечивающей высокую эффективность в сварочных аппаратах, инверторах и ИБП.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT IKW50N60TFKSA1 600 В, 50 А, 167 Вт

680 р.

транзистор IGBT IGBT FGH40N60SMD 600 В, 40 А, 174 Вт

326 р.

транзистор IGBT IGBT IGW20N60H3FKSA1 600 В, 20 А, 85 Вт

761 р.

Конденсатор SMD 0603 2.5 пФ, 50 В, 5 %

Модуль Bluetoothдля ArduinoМодуль ЦАП MCP4725, I2C, 12 бит

341 р.

Световая полоса L-875/4SRDT

транзистор IGBT IGBT FGH40N60SFDTU 600 В, 40 А, 145 Вт

650 р.

Конденсатор SMD 0603 1 пФ, 50 В, 5 %

4 р.

транзистор IGBT IGBT FGH60N60SMD 600 В, 60 А, 300 Вт

482 р.

Переходник RS485-TTL на базе MAX485

115 р.

транзистор IGBT IGBT IKW40N120T2FKSA1 1200 В, 40 А, 174 Вт

661 р.

транзистор IGBT IGBT IKW50N60H3FKSA1 600 В, 50 А, 152 Вт

368 р.

Конденсатор SMD 0603 3 пФ, 50 В,

Модуль TCS230 (TCS 3200) Датчик цвета, 2.7-5.5В

445 р.

преобразователь AM2D-1212SH30Z 12 В, 0.167 А

780 р.

Преобразователь Сапфир USB<> RS232/485/ИП

4 750 р.

USB-RS232 Кабель-адаптер, 1м, ТИП1 (PL2303HX)

294 р.

USB-TTL Переходник на базе FT232RL, USBB

680 р.

транзистор полевой N-канал SI1012CR-T1-GE3 20 В, 0.61 А

83 р.

Модуль Bluetoothдля ArduinoLCD 1602 + I2C модуль, Yellow

641 р.

Сообщение

Напряжение	600 В
Ток (25°C)	80 А
Ток (100°C)	40 А
Напряжение нас.	1.9 В
Пороговое напряжение затвора	4.75 В
Частота	50 кГц
Ёмкость затвора	1880 пФ
Мощность (25°C)	348 Вт
Мощность (100°C)	174 Вт
корпус	TO-247