транзистор полевой N-канал FQP13N10 100 В, 12.8 А - Элград

Производственные поставки
607-444
prom@elgrad.pro

Розничные продажи (Магазин)
60-77-22
shop@elgrad.pro

Контакты

График работы

ООО "ЭЛГРАД Про" Производственные поставки пн — пт: 9⁰⁰—17⁰⁰

Розничный магазин Розничные продажи пн — пт: 10⁰⁰—18⁰⁰

График работы в праздники

ООО "ЭЛГРАД Про"

Производственные поставки

30апреля чт 9⁰⁰—15⁰⁰

1мая пт выходной

2мая сб выходной

3мая вс выходной

8мая пт 9⁰⁰—15⁰⁰

9мая сб выходной

10мая вс выходной

11мая пн выходной

Розничный магазин

Розничные продажи

30апреля чт 10⁰⁰—17⁰⁰

1мая пт выходной

2мая сб выходной

3мая вс выходной

8мая пт 10⁰⁰—17⁰⁰

9мая сб выходной

10мая вс выходной

11мая пн выходной

Корзина
Избранное
Оповещения

Кабинет

Каталог —

Активные компоненты

Диоды, диодные мосты, стабилитроны
Тиристоры
Симисторы
Транзисторы
П/П модули
Микросхемы

—

Транзисторы

Биполярные
Полевые
IGBT

—

транзистор полевой N-канал FQP13N10 100 В, 12.8 А

Общая цена

146 р.

Количество

В корзину

Добавить в избранное

В наличии

Артикул:150496

Производство:Не указано

Страна:США

Технические параметры

проводимость	N-канал
напряжение сток-исток	100 В
Пороговое напряжение *	2 В
ток стока макс.	12.8 А
сопротивление отк канала *	180 мОм
крутизна характеристики	8.7 А/В
мощность максимальная *	65 Вт
тип корпуса	TO-220

Найти аналоги
по параметрам

Найти аналоги

Очистить

Вы недавно смотрели

транзистор полевой N-канал FQP13N10 100 В, 12.8 А

диод защитный NUP2105LT1G

диодный мост KBPC3510W 35 А, 1000 В

диод защитный USB6B1RL

Модуль реле с ИК пультом, 5В, 10А

диод защитный RCLAMP0522P.TCT

диод защитный CDSOT23-SM712

диод защитный P6KE400A

Резистор подстроечный 500 Ом (А), 20 %

транзистор NPN 2SC3807 25 В, 2 А

Вольтметр AC YB5135D 80-500 В

Резистор подстроечный 1 кОм (А), 20 %

Конденсатор SMD 0201 0.01 мкФ, 10 В, 10 %

Дроссель LQH44PN220MP0L

Резистор подстроечный 100 Ом (А), 20 %

Резистор подстроечный 1 кОм (А), 20 %

Резистор подстроечный 500 Ом (А), 20 %

диод защитный 1.5KE400A

Резистор подстроечный 150 Ом (А), 20 %

Резистор подстроечный 68 кОм (А), 20 %

Сообщение