транзистор IGBT RJH60F7DPQ 600 В, 50 А, 164 Вт

RJH60F7DPQ — это мощный N-канальный IGBT-транзистор (БТИЗ) производства компании Renesas Electronics, предназначенный для высокоскоростной коммутации. Он выполнен по технологии Trench Gate и оснащен встроенным быстродействующим диодом, что делает его оптимальным для использования в инверторах, сварочных аппаратах и блоках питания.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT RJH60F7DPQ 600 В, 50 А, 164 Вт

617 р.

MT30-M.G.Y силовой разъем, 500В 15А(30А), 16AWG

80 р.

Дроссель CDRH5D28NP-5R3NC

Изопропиловый спирт ХЧ (Изопропанол) 5.0л, Очиститель универсальный 99,90%

3 250 р.

XT60H-F.G.Y силовой разъем, 500В 30А(60А), 12AWG, с хвостовиком

70 р.

Микросхема SN74ACT245DW

20 р.

транзистор IGBT IGBT IRGP4062DPBF 600 В, 24 А, 125 Вт

368 р.

Сообщение

Напряжение	600 В
Ток (25°C)	90 А
Ток (100°C)	50 А
Напряжение нас.	1.35 В
Пороговое напряжение затвора	5.5 В
Частота	60 кГц
Ёмкость затвора	4000 пФ
Мощность (25°C)	328 Вт
Мощность (100°C)	164 Вт
корпус	TO-247