транзистор IGBT IGBT STGB10NB37LZT4 370 В, 10 А, 62 Вт

STGB10NB37LZT4 — это силовой N-канальный IGBT-транзистор с изолированным затвором, разработанный компанией STMicroelectronics специально для систем автомобильного зажигания. Он выполнен по технологии PowerMESH™, отличается низким напряжением насыщения и встроенной схемой активного ограничения (clamping) для защиты от перенапряжений.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT STGB10NB37LZT4 370 В, 10 А, 62 Вт

814 р.

диодный мост KBPC2510W 25 А, 1000 В

173 р.

Модуль Sharp GP2Y1010AU0F Датчик пыли, 5-7В, 20мА

390 р.

диодный мост MB6S 0.5 А, 600 В

11 р.

диодный мост KBPC1010 10 А, 1000 В

78 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7313TRPBF 30 В, 6 А

69 р.

транзистор полевой P-канал IRF7420TRPBF 10 В, 10 А

49 р.

преобразователь понижающий Mini560 5 В, 5 А

233 р.

диодный мост D4UB100 4 А, 1000 В

45 р.

диодный мост W10M 1.5 А, 1000 В

31 р.

диодный мост KBU810 8 А, 1000 В

63 р.

Светодиод LXHL-PWF1

355 р.

сборка транзисторная 2P Транзистор IRF7304TRPBF 20 В, 4.7 А

62 р.

диодный мост RS607 6 А, 1000 В

124 р.

диодный мост RS207 2 А, 1000 В

26 р.

преобразователь понижающий Mini560 3.3 В, 5 А

233 р.

диодный мост MB10S 0.8 А, 1000 В

13 р.

транзистор полевой P-канал IRF7404TRPBF 20 В, 7 А

107 р.

Симистр Z0107MN 5AA4 600 В, 1 А

31 р.

транзистор IGBT RJH60F7DPQ 600 В, 50 А, 164 Вт

617 р.

Сообщение

Напряжение	370 В
Ток (25°C)	20 А
Ток (100°C)	10 А
Напряжение нас.	1.15 В
Пороговое напряжение затвора	1.5 В
Частота	10 кГц
Ёмкость затвора	700 пФ
Мощность (25°C)	125 Вт
Мощность (100°C)	62 Вт
корпус	TO-263 (D2PAK )