транзистор IGBT IGBT FGH60N60SMD 600 В, 60 А, 300 Вт

FGH60N60SMD — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) с рабочим напряжением до 600 В и током до 60 А, изготовленный по технологии Field Stop 2-го поколения от компании onsemi (ранее Fairchild). Он оптимизирован для использования в солнечных инверторах, ИБП (UPS), сварочных аппаратах и системах коррекции коэффициента мощности (PFC) благодаря низким потерям на проводимость и переключение.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT FGH40N60SFDTU 600 В, 40 А, 145 Вт

650 р.

транзистор IGBT IGBT FGH60N60SMD 600 В, 60 А, 300 Вт

482 р.

транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

437 р.

TYPE-C-5pin-PH2.0 Гнездо для зарядки 5 А, на панель

120 р.

преобразователь повышающий SX1308 2-28 В, 2 А

136 р.

транзистор IGBT IGBT IHW20N135R5XKSA1 1350 В, 20 А, 130 Вт

322 р.

FBC1207D, 7-Ступенчатое автомат. зарядное устройство 12В 7А

1 960 р.

Стандартный стальной штангенциркуль 0-150мм

535 р.

Плата расширения WaveShare для Raspberry Pi (HAT) с двухканальным интерфейсом RS485

транзистор IGBT IGBT IKW50N65ES5XKSA1 650 В, 50 А, 125 Вт

790 р.

транзистор IGBT IGBT IKW50N60H3FKSA1 600 В, 50 А, 152 Вт

368 р.

транзистор IGBT IGBT IKW25N120H3FKSA1 1200 В, 25 А, 117 Вт

582 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7103TRPBF 50 В, 3 А

сборка транзисторная 2P Транзистор IRF7316PBF 30 В, 4.9 А

86 р.

транзистор полевой N-канал Транзистор BSS138P.215 60 В, 0.36 А

ионистр 0.22 Ф, 5.5 В,

89 р.

диодный мост KBPC808 8 А, 800 В

86 р.

Модуль Датчик влажности почвы

120 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7303 30 В, 4.9 А

45 р.

Тиристр ДЛ123-320-14 1400 В, 320 А

Сообщение

Напряжение	600 В
Ток (25°C)	120 А
Ток (100°C)	60 А
Напряжение нас.	1.9 В
Пороговое напряжение затвора	4.75 В
Частота	50 кГц
Ёмкость затвора	2740 пФ
Мощность (25°C)	600 Вт
Мощность (100°C)	300 Вт
корпус	TO-247