транзистор IGBT IGBT IGW20N60H3FKSA1 600 В, 20 А, 85 Вт

IGW20N60H3FKSA1 — это высокоскоростной IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства компании Infineon Technologies, выполненный по технологии TRENCHSTOP™ Gen III. Он предназначен для работы в цепях с напряжением до 600 В и рассчитан на ток до 40 А (при 25°C), что делает его идеальным для сварочных аппаратов, систем бесперебойного питания (ИБП) и солнечных инверторов.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT IGW20N60H3FKSA1 600 В, 20 А, 85 Вт

761 р.

транзистор IGBT IGBT IKW40N120T2FKSA1 1200 В, 40 А, 174 Вт

661 р.

транзистор IGBT IGBT FGH40N60SFDTU 600 В, 40 А, 145 Вт

650 р.

транзистор IGBT IGBT FGH60N60SMD 600 В, 60 А, 300 Вт

482 р.

транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

437 р.

TYPE-C-5pin-PH2.0 Гнездо для зарядки 5 А, на панель

120 р.

преобразователь повышающий SX1308 2-28 В, 2 А

136 р.

транзистор IGBT IGBT IHW20N135R5XKSA1 1350 В, 20 А, 130 Вт

322 р.

FBC1207D, 7-Ступенчатое автомат. зарядное устройство 12В 7А

1 960 р.

Стандартный стальной штангенциркуль 0-150мм

535 р.

Плата расширения WaveShare для Raspberry Pi (HAT) с двухканальным интерфейсом RS485

транзистор IGBT IGBT IKW50N65ES5XKSA1 650 В, 50 А, 125 Вт

790 р.

транзистор IGBT IGBT IKW50N60H3FKSA1 600 В, 50 А, 152 Вт

368 р.

транзистор IGBT IGBT IKW25N120H3FKSA1 1200 В, 25 А, 117 Вт

582 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7103TRPBF 50 В, 3 А

сборка транзисторная 2P Транзистор IRF7316PBF 30 В, 4.9 А

86 р.

транзистор полевой N-канал Транзистор BSS138P.215 60 В, 0.36 А

ионистр 0.22 Ф, 5.5 В,

89 р.

диодный мост KBPC808 8 А, 800 В

86 р.

Модуль Датчик влажности почвы

120 р.

Сообщение

Напряжение	600 В
Ток (25°C)	40 А
Ток (100°C)	20 А
Напряжение нас.	1.7 В
Пороговое напряжение затвора	5 В
Частота	100 кГц
Ёмкость затвора	1100 пФ
Мощность (25°C)	170 Вт
Мощность (100°C)	85 Вт
корпус	TO-247