транзистор IGBT IGBT IKW50N65ES5XKSA1 650 В, 50 А, 125 Вт

IKW50N65ES5XKSA1 — это силовой IGBT-транзистор (БТИЗ) серии TRENCHSTOP 5 S5 от компании Infineon Technologies. Он предназначен для жесткого и мягкого переключения в диапазоне частот от 10 кГц до 40 кГц, обеспечивая крайне низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер

для повышения энергоэффективности.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

437 р.

TYPE-C-5pin-PH2.0 Гнездо для зарядки 5 А, на панель

120 р.

преобразователь повышающий SX1308 2-28 В, 2 А

136 р.

транзистор IGBT IGBT IHW20N135R5XKSA1 1350 В, 20 А, 130 Вт

322 р.

FBC1207D, 7-Ступенчатое автомат. зарядное устройство 12В 7А

1 960 р.

Стандартный стальной штангенциркуль 0-150мм

535 р.

Плата расширения WaveShare для Raspberry Pi (HAT) с двухканальным интерфейсом RS485

транзистор IGBT IGBT IKW50N65ES5XKSA1 650 В, 50 А, 125 Вт

790 р.

транзистор IGBT IGBT IKW25N120H3FKSA1 1200 В, 25 А, 117 Вт

582 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7103TRPBF 50 В, 3 А

сборка транзисторная 2P Транзистор IRF7316PBF 30 В, 4.9 А

86 р.

транзистор полевой N-канал Транзистор BSS138P.215 60 В, 0.36 А

ионистр 0.22 Ф, 5.5 В,

89 р.

диодный мост KBPC808 8 А, 800 В

86 р.

Модуль Датчик влажности почвы

120 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7303 30 В, 4.9 А

45 р.

Тиристр ДЛ123-320-14 1400 В, 320 А

Тиристр MCR106-8G 600 В, 4 А

121 р.

диодный мост DF10M-E3/45 1 А, 1000 В

64 р.

Модуль HC-SR505 Датчик движения

221 р.

Сообщение

Напряжение	650 В
Ток (25°C)	80 А
Ток (100°C)	50 А
Напряжение нас.	1.35 В
Пороговое напряжение затвора	4 В
Частота	70 кГц
Ёмкость затвора	2700 пФ
Мощность (25°C)	250 Вт
Мощность (100°C)	125 Вт
корпус	TO-247