транзистор IGBT IGBT IKW50N65ES5XKSA1 650 В, 50 А, 125 Вт

IKW50N65ES5XKSA1 — это силовой IGBT-транзистор (БТИЗ) серии TRENCHSTOP 5 S5 от компании Infineon Technologies. Он предназначен для жесткого и мягкого переключения в диапазоне частот от 10 кГц до 40 кГц, обеспечивая крайне низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер

для повышения энергоэффективности.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT IKW50N65ES5XKSA1 650 В, 50 А, 125 Вт

790 р.

транзистор полевой N-канал PMV56XN 20 В, 3.5 А

29 р.

Датчик температуры и влажности DHT-22

368 р.

Электронный конструктор ЗНАТОК 320 схем

5 670 р.

USB-TTL Переходник на базе FT232RL miniUSB

324 р.

Конденсатор SMD 0603 0.5 пФ, 50 В, 5 %

4 р.

транзистор IGBT IGBT IKW25N120H3FKSA1 1200 В, 25 А, 117 Вт

582 р.

транзистор полевой N-канал BSS123LT1G 100 В, 0.18 А

Конденсатор SMD 0402 4700 пФ, 42 В, 10 %

диодный мост B40C800DM-f3/45 0.8 А, 65 В

33 р.

Паяльная маска Mechanic UV черная

500 р.

Электронный конструктор ЗНАТОК 979 схем

8 790 р.

TYPE-C-5pin-PH2.0 Гнездо для зарядки 5 А, на панель

120 р.

Конденсатор SMD 0402 1000 пФ, 50 В, 1 %

USB-TTL Переходник на базе PL2303HX

150 р.

H520PT 1.5A /250В, 5*20 с выводами, стекло

12 р.

Модуль АЦП/ЦАП на PCF8591, I2C

346 р.

SOP16-DIP8 Adapter OTS-28-1.27-04 (300mil)

200 р.

USB-TTL Переходник на базе CH9340C TYPE-C

220 р.

Фоторезист пленочный МЕ720 305*500мм

450 р.

Сообщение

Напряжение	650 В
Ток (25°C)	80 А
Ток (100°C)	50 А
Напряжение нас.	1.35 В
Пороговое напряжение затвора	4 В
Частота	70 кГц
Ёмкость затвора	2700 пФ
Мощность (25°C)	250 Вт
Мощность (100°C)	125 Вт
корпус	TO-247