транзистор IGBT IGBT IKW25N120H3FKSA1 1200 В, 25 А, 117 Вт

Транзистор Infineon IKW25N120H3FKSA1 — это высокоскоростной биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) серии TRENCHSTOP™ 3, рассчитанный на напряжение 1200 В и ток до 50 А. Он оптимизирован для жесткого переключения на частотах до 70 кГц и поставляется в корпусе TO-247-3 со встроенным быстродействующим антипараллельным диодом.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT IKW25N120H3FKSA1 1200 В, 25 А, 117 Вт

582 р.

транзистор полевой N-канал BSS123LT1G 100 В, 0.18 А

Конденсатор SMD 0402 4700 пФ, 42 В, 10 %

диодный мост B40C800DM-f3/45 0.8 А, 65 В

33 р.

Паяльная маска Mechanic UV черная

500 р.

Электронный конструктор ЗНАТОК 979 схем

8 790 р.

TYPE-C-5pin-PH2.0 Гнездо для зарядки 5 А, на панель

120 р.

Конденсатор SMD 0402 1000 пФ, 50 В, 1 %

USB-TTL Переходник на базе PL2303HX

150 р.

H520PT 1.5A /250В, 5*20 с выводами, стекло

12 р.

Модуль АЦП/ЦАП на PCF8591, I2C

346 р.

SOP16-DIP8 Adapter OTS-28-1.27-04 (300mil)

200 р.

USB-TTL Переходник на базе CH9340C TYPE-C

220 р.

Фоторезист пленочный МЕ720 305*500мм

450 р.

преобразователь повышающий SX1308 2-28 В, 2 А

136 р.

преобразователь AM1L-0305S-NZ 5 В, 0.2 А

Конденсатор SMD 0402 0.033 мкФ, 50 В, 10 %

Конденсатор SMD 0402 0.47 мкФ, 6.3 В, 10 %

транзистор IGBT IGBT IKW50N60TFKSA1 600 В, 50 А, 167 Вт

680 р.

транзистор IGBT IGBT FGH40N60SMD 600 В, 40 А, 174 Вт

326 р.

Сообщение

Напряжение	1200 В
Ток (25°C)	50 А
Ток (100°C)	25 А
Напряжение нас.	2.05 В
Пороговое напряжение затвора	5.5 В
Частота	40 кГц
Ёмкость затвора	1630 пФ
Мощность (25°C)	234 Вт
Мощность (100°C)	117 Вт
корпус	TO-247