транзистор IGBT IGBT IKW50N60H3FKSA1 600 В, 50 А, 152 Вт

IKW50N60H3FKSA1 (маркировка на корпусе K50H603) — это мощный высокоскоростной IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании Infineon Technologies. Он рассчитан на напряжение 600 В и ток до 100 А (при 25°C), выполнен по технологии TRENCHSTOP™ HighSpeed 3 для минимизации потерь при переключении.

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

437 р.

TYPE-C-5pin-PH2.0 Гнездо для зарядки 5 А, на панель

120 р.

преобразователь повышающий SX1308 2-28 В, 2 А

136 р.

транзистор IGBT IGBT IHW20N135R5XKSA1 1350 В, 20 А, 130 Вт

322 р.

FBC1207D, 7-Ступенчатое автомат. зарядное устройство 12В 7А

1 960 р.

Стандартный стальной штангенциркуль 0-150мм

535 р.

Плата расширения WaveShare для Raspberry Pi (HAT) с двухканальным интерфейсом RS485

транзистор IGBT IGBT IKW50N65ES5XKSA1 650 В, 50 А, 125 Вт

790 р.

транзистор IGBT IGBT IKW50N60H3FKSA1 600 В, 50 А, 152 Вт

368 р.

транзистор IGBT IGBT IKW25N120H3FKSA1 1200 В, 25 А, 117 Вт

582 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7103TRPBF 50 В, 3 А

сборка транзисторная 2P Транзистор IRF7316PBF 30 В, 4.9 А

86 р.

транзистор полевой N-канал Транзистор BSS138P.215 60 В, 0.36 А

ионистр 0.22 Ф, 5.5 В,

89 р.

диодный мост KBPC808 8 А, 800 В

86 р.

Модуль Датчик влажности почвы

120 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7303 30 В, 4.9 А

45 р.

Тиристр ДЛ123-320-14 1400 В, 320 А

Тиристр MCR106-8G 600 В, 4 А

121 р.

диодный мост DF10M-E3/45 1 А, 1000 В

64 р.

Сообщение

Напряжение	600 В
Ток (25°C)	100 А
Ток (100°C)	50 А
Напряжение нас.	1.85 В
Пороговое напряжение затвора	5 В
Частота	60 кГц
Ёмкость затвора	2770 пФ
Мощность (25°C)	305 Вт
Мощность (100°C)	152 Вт
корпус	TO-247