транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

FGA25N120ANTDTU — это высокомощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный компаниями onsemi (ранее Fairchild Semiconductor) для работы в цепях с высоким напряжением и током

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

437 р.

преобразователь повышающий SX1308 2-28 В, 2 А

136 р.

транзистор IGBT IGBT IHW20N135R5XKSA1 1350 В, 20 А, 130 Вт

322 р.

FBC1207D, 7-Ступенчатое автомат. зарядное устройство 12В 7А

1 960 р.

Плата расширения WaveShare для Raspberry Pi (HAT) с двухканальным интерфейсом RS485

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7103TRPBF 50 В, 3 А

сборка транзисторная 2P Транзистор IRF7316PBF 30 В, 4.9 А

86 р.

транзистор полевой N-канал Транзистор BSS138P.215 60 В, 0.36 А

ионистр 0.22 Ф, 5.5 В,

89 р.

диодный мост KBPC808 8 А, 800 В

86 р.

Модуль Датчик влажности почвы

120 р.

сборка транзисторная 2N Транзистор IRF7303 30 В, 4.9 А

45 р.

Тиристр ДЛ123-320-14 1400 В, 320 А

Тиристр MCR106-8G 600 В, 4 А

121 р.

диодный мост DF10M-E3/45 1 А, 1000 В

64 р.

Модуль Термопара К-тип 0-400°С М6, 2м.

360 р.

Модуль HC-SR505 Датчик движения

221 р.

диодный мост DB107S 1 А, 1000 В

36 р.

Извещатель инфракрасный пассивный Фотон-9

диодный мост MB6S 0.5 А, 600 В

11 р.

Сообщение

Напряжение	1200 В
Ток (25°C)	50 А
Ток (100°C)	25 А
Напряжение нас.	2 В
Пороговое напряжение затвора	5.5 В
Частота	15 кГц
Ёмкость затвора	2040 пФ
Мощность (25°C)	312 Вт
Мощность (100°C)	156 Вт
корпус	TO-3P