транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

FGA25N120ANTDTU — это высокомощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный компаниями onsemi (ранее Fairchild Semiconductor) для работы в цепях с высоким напряжением и током

Развернуть описание

Вы недавно смотрели

транзистор IGBT IGBT FGA25N120ANTDTU 1200 В, 25 А, 156 Вт

437 р.

диод защитный PESD5V2S2UT.215

Тактовый переключатель TL3305AF260QG

Модуль SIM800C - GSM/GPRS + Bluetooth + Антена

1 328 р.

Изопропиловый спирт (Изопропанол, Пропан-2-ол)

транзистор полевой N-канал MS8N120FC 1200 В, 8 А

Модуль реле 8 каналов с ИК пультом, 5В, 10А

1 260 р.

Стойка H-L1800-2400-5-03-1N1W-9

Апликатор для суперклея. Клеевая трубка "Крысинный хвост" 502

5 р.

WeMos D1 mini PRO, отладочная плата (Arduino UNO + ESP8266)

819 р.

HT-1, 1 м, -50…+110 °С, белый, Термометр

240 р.

250/3A (12CM R), Микропереключатель, цепочка,on-off

120 р.

преобразователь понижающий AMS1117-3.3 3.3 В, 0.8 А

60 р.

Конденсатор подстроечный 1.4...3 пФ 100 В

преобразователь повышающий Кабель с DC-DC адаптером вх. USB — вых 9В(1А), 5.5*2.5мм 9 В, 1 / 0.7 А

188 р.

преобразователь повышающий BS02 5 / 8 / 9 / 12 (настраиваемое) В, 1.2 (макс) А

150 р.

Монтажный держатель реле, металлический 094.71

Электронная USB нагрузка XY-KZ35 Type-C QC3.0

2 390 р.

преобразователь повышающий Кабель с DC-DC адаптером вх. USB — вых 12В(0.7А), 5.5*2.5мм 12 В, 0.7 А

188 р.

преобразователь понижающий AMS1117-5.0 5 В, 0.8 А

60 р.

Сообщение

Напряжение	1200 В
Ток (25°C)	50 А
Ток (100°C)	25 А
Напряжение нас.	2 В
Пороговое напряжение затвора	5.5 В
Частота	15 кГц
Ёмкость затвора	2040 пФ
Мощность (25°C)	312 Вт
Мощность (100°C)	156 Вт
корпус	TO-3P